Estudo de processos de dopagem em AlGaAs por epitaxia de feixe molecular

• Processo: 92/03857-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1993
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1993
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Suhaila Maluf Shibli
• Beneficiário: Pablo Ivan Rovira
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 92/03453-8 - Tecnologia HBIFET: processo e caracterização, AP.TEM
• Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular Dopagem eletrônica Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Dopagem | Semicondutores

Resumo

Este Projeto faz parte do Projeto temático "Tecnologia HBIFET: Processo e Caracterização". A contribuição deste trabalho de mestrado será o crescimento e caracterização de camadas HBT (Transistor Bipolar de Heterojunção) por MBE (Molecular Beam Epitaxy). (AU)