Deposição de filmes finos isolantes de óxido e nitreto de silício utilizando as técnicas de plasma remoto (RPECVD) e electron cyclotron resonance (ECR) Chemical Vapor Deposition

• Processo: 93/04992-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1994
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1996
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: William César Mariano
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 92/03453-8 - Tecnologia HBIFET: processo e caracterização, AP.TEM
• Assunto(s): Deposição química por vapor CVD Filmes finos Nitreto de silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Isolante | Nitreto De Silicio | Oxido De Silicio | Passivacao De Funcoes | Processo Cvd

Resumo

Será feito um estudo de processos de deposição de filmes de SiO2 e de Si3N4 por CVD em 2 modos de operação: RTCVD (Rapid Thermal CVD) e RPECVD, (Remote Plasma Enchanced CVD). Os processos e filmes serão caracterizados quanto A: taxa de deposição, estequiometria, densidade, índice de refração, uniformidade, defeitos e stress. Em seguida será feito um estudo da interface entre isolante/GaAs e da eficiência de passivação de heterojunções p-n. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MARIANO, William César. Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto. 1996. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação Campinas, SP.