Propriedades opticas e de transporte de pontos quanticos auto-organizados em ligas semicondutoras de "ingan".

• Processo: 00/10562-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: David Gregorio Pacheco Salazar
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
• Assunto(s): Nitretos Pontos quânticos Estrutura eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Eletronica | Nitretos | Pontos Quanticos

Resumo

O presente projeto visa estudar as propriedades ópticas de heteroestruturas de GaN/InGaN com objetivo de entender e melhorar os processos de emissão nos modernos LEDs e Lasers operando na região do verde-azul-UV do espectro. Serão utilizadas amostras crescidas por MBE (já disponíveis) e as técnicas de PL, Raman e transporte para este estudo. O projeto contará com o apoio do grupo teórico para o cálculo das estruturas eletrônicas dos sistemas estudados. (AU)