Desenvolvimento de fabricacao de hbts e o estudo de suas estruturas.

• Processo: 96/00550-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1996
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Ricardo Toshinori Yoshioka
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Heterojunção Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cts | Epitaxial | Gaas | Hbt | Heterojuncao

Resumo

Neste projeto de pesquisa o aluno irá desenvolver as etapas de processos de fabricação de HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor), cujo as camadas do emissor são do tipo AlGaAs e InGaP e estudar as diferentes estruturas. Para efetuar esse trabalho o aluno contará com laboratórios dedicados ao processamento de dispositivos eletrônicos do DSIF/FEE e também do LPD/IFGW da UNICAMP que estão em sua fase final de montagem. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

YOSHIOKA, Ricardo Toshinori. Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs. 0000. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação Campinas, SP.