Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

Autor(es)

Ricardo Toshinori Yoshioka

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: Campinas, SP.
• Instituição: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
• Data de defesa: 0000-00-00

Membros da banca

Jacobus Willibrordus Swart

• Orientador: Jacobus Willibrordus Swart
• Processo FAPESP: 96/00550-3 - Desenvolvimento de fabricacao de hbts e o estudo de suas estruturas.
• Beneficiário: Ricardo Toshinori Yoshioka
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado