Desenvolvimento de novos transistores implementados em tecnologia soi.

• Processo: 96/01437-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Marcelo Antonio Pavanello
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Simulação numérica Técnicas de caracterização elétrica Tecnologia SOI
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Eletrica | Novos Dispositivos | Simulacao Numerica | Tecnologia Soi

Resumo

Neste trabalho deseja-se estudar novos transistores tipo Metal-Óxido-Semicondutor implementados em lâminas de Silíco sobre Isolante (SOI-MOSFET) que apresentem vantagens em aplicações especificas sobre os transistores convencionais. O trabalho será iniciado com a simulação de três novas estruturas de SOI entre as quais a que apresentar mais vantagens será fabricada e caracterizada eletricamente. Novos modelos analíticos serão desenvolvidos e validados por simulação e pelos resultados experimentais obtidos do transistor SOI-MOSFET em estudo. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

PAVANELLO, Marcelo Antonio. Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET.. 2000. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.