Dopagem eletrica de carbeto de silicio amorfo hidrogenado (a-sic:h) obtido por pecvd.

• Processo: 00/04389-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2002
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcelo Nelson Páez Carreño
• Beneficiário: Alessandro Ricardo de Oliveira
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Carbeto de silício Dopagem eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: A-Sic-H | Carbeto De Silicio | Dopagem

Resumo

O presente projeto trata sobre a dopagem elétrica de películas semicondutoras de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) obtido pela técnica de PECVD. O objetivo é estudar a dopagem de tipo-N e tipo-P de filmes quase estequiométricos (x~0,5) desse material. A proposta é estender, aprofundar e otimizar resultados prévios que já demonstraram a viabilidade e pertinência de um estudo deste tipo. Assim, pretendemos sistematizar o estudo da dopagem tipo-N, implantando diferentes concentrações de nitrogênio, com perfis de implantação projetados especificamente para carbeto de silício e estudando tratamentos térmicos pós implantação que otimizem ativação elétrica das impurezas implantadas. Por outro lado, a dopagem tipo-P será estudada utilizando a técnica de difusão térmica de alumínio. Para otimizar este processo estudaremos diferentes temperaturas e tempos de recozimento, com o objetivo de encontrar as condições que conduzam a maiores condutividades elétricas. Ainda relacionada à dopagem tipo P, também será estudada a implantação iônica de boro e a viabilidade de implantar o próprio alumínio. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD.. 2002. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.