Crescimento de sistemas nanoestruturados epitaxiais autoformados: propriedades estruturais.

• Processo: 03/09374-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2004
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gilberto Medeiros Ribeiro
• Beneficiário: Marina Soares Leite
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14757-4 - Materiais nanoestruturados investigados por microscopias de tunelamento e força atômica através de medidas de transporte, AP.JP
• Assunto(s): Crescimento epitaxial Materiais nanoestruturados Difração por raios X Semicondutores Microscopia de força atômica Microscopia de tunelamento
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Difracao De Raios X | Microscopia De Forca Atomica | Microscopia De Tunelamento | Nanoestruturas | Semicondutores

Resumo

O objetivo deste trabalho é o entendimento do crescimento epitaxial de nanoestruturas autoformadas através de investigação de sistemas crescidos e caracterizados in-situ por microscopia de tunelamento (STM) e subseqüentemente através de caracterização por microscopia de força atômica (AFM) e difração de raios-X (XRD) utilizando radiação síncrotron. O sistema inicial a ser estudado consiste em filmes de Ge sobre Si (001), dada a experiência pregressa tanto em STM, AFM como XRD. A partir do estabelecimento do método e treinamento da aluna, iniciar-se-á o estudo de sistemas epitaxiais correlatos: Ge:Si (311) e Ge:C:Si (001). O primeiro sistema produz fios elongados, orientados com relação às direções cristalográficas do substrato, o segundo sistema apresenta problemas interessantes no que concerne os seguintes pontos: a) cinética x termodinâmica de crescimento, b) a presença de C produz um tensionamento (distendido) no sentido contrário à camada de Ge (compressivo), e c) o alinhamento de bandas na presença da camada de C muda, assim como as propriedades eletrônicas de tais sistemas. Utilizando-se este conjunto de técnicas, e associando desenvolvimentos teóricos na área, pretende-se avaliar o papel de uma superfície diferente (311) e do C no crescimento de Ge sobre Si, os limites cinéticos e termodinâmicos e maneiras de controlar o tamanho e correspondente distribuição. (AU)

Publicações científicas

(4)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

LEITE‚ M.S.; MALACHIAS‚ A.; KYCIA‚ SW; KAMINS‚ TI; WILLIAMS‚ R.S.; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.. Evolution of Thermodynamic Potentials in Closed and Open Nanocrystalline Systems: Ge-Si: Si (001) Islands. Physical Review Letters, v. 100, n. 22, p. 226101, 2008. (03/09374-9)

LEITE‚ MS; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.; KAMINS‚ TI; WILLIAMS‚ R.S.. Alloying mechanisms for epitaxial nanocrystals. Physical Review Letters, v. 98, n. 16, p. 165901, 2007. (03/09374-9)

LEITE, MARINA S.; KAMINS, THEODORE I.; WILLIAMS, R. STANLEY; MEDEIROS-RIBEIRO, GILBERTO. Intermixing during Ripening in Ge-Si Incoherent Epitaxial Nanocrystals. Journal of Physical Chemistry C, v. 116, n. 1, p. 901-907, JAN 12 2012. (03/09374-9)

LEITE‚ MS; GRAY‚ JL; HULL‚ R.; FLORO‚ JA; MAGALHAES-PANIAGO‚ R.; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.. X-ray diffraction mapping of strain fields and chemical composition of SiGe: Si (001) quantum dot molecules. Physical Review B, v. 73, n. 12, p. 121308, 2006. (03/09374-9)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

LEITE, Marina Soares. Formação de ligas em nanocristais epitaxiais de GeSi:Si (001). 2007. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.