Estudo teórico de nanofios semicondutores

• Processo: 03/06239-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2003
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Antonio José Roque da Silva
• Beneficiário: Cedric Rocha Leão
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 01/13008-2 - Simulação computacional de materiais nanoestruturais, AP.TEM
• Assunto(s): Estrutura eletrônica Nanofios Semicondutores Simulação por computador Métodos ab initio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculo Ab Initio | Estrutura Eletronica | Nano-Dispositivos | Nanofios Semicondutores | Simulacao Computacionais

Resumo

Pretende-se estudar, através da utilização de simulações computacionais (que podem vir a envolver cálculos de geometrias com potenciais empíricos, e cálculos de estrutura eletrônica utilizando-se aproximações tight-binding e métodos ab initio), nanofios semicondutores, que têm potencial utilização como dispositivos eletrônicos. O problema será abordado sob três aspectos: (i) estudo da estrutura geométrica dos nanofios; (ii) estudo da estrutura eletrônica dos nanofios; (iii) cálculos de condutância através dos nanofios. Em particular, deverão ser investigados nanofios baseados em Si e SiGe. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

LEÃO, Cedric Rocha. Propriedades eletrônicas de nanofios semicondutores. 2008. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.