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Estudo teórico de nanofios semicondutores

Processo: 03/06239-3
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2003
Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2007
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Antonio José Roque da Silva
Beneficiário:Cedric Rocha Leão
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:01/13008-2 - Simulação computacional de materiais nanoestruturais, AP.TEM
Assunto(s):Estrutura eletrônica   Nanofios   Semicondutores   Simulação por computador   Métodos ab initio
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Calculo Ab Initio | Estrutura Eletronica | Nano-Dispositivos | Nanofios Semicondutores | Simulacao Computacionais

Resumo

Pretende-se estudar, através da utilização de simulações computacionais (que podem vir a envolver cálculos de geometrias com potenciais empíricos, e cálculos de estrutura eletrônica utilizando-se aproximações tight-binding e métodos ab initio), nanofios semicondutores, que têm potencial utilização como dispositivos eletrônicos. O problema será abordado sob três aspectos: (i) estudo da estrutura geométrica dos nanofios; (ii) estudo da estrutura eletrônica dos nanofios; (iii) cálculos de condutância através dos nanofios. Em particular, deverão ser investigados nanofios baseados em Si e SiGe. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
LEÃO, Cedric Rocha. Propriedades eletrônicas de nanofios semicondutores. 2008. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.