Texto completo
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| Autor(es): |
Marcello Bellodi
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Dissertação de Mestrado |
| Imprenta: | São Paulo. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) |
| Data de defesa: | 1996-12-20 |
| Membros da banca: |
João Antonio Martino;
Antonio Luis Pacheco Rotondaro;
Patrick Bernard Verdonck
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| Orientador: | João Antonio Martino |
| Resumo | |
Apresentamos neste trabalho um estudo da corrente de fuga do dreno de transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. Para o desenvolvimento deste estudo foram utilizados transistores SOI nMOSFETs e SOI pMOSFETs com diferentes condições de polarização e temperatura de operação variando desde a ambiente ate 300\'GRAUS\'c. Desenvolvemos uma metodologia para a obtenção de um modelo empírico da corrente de fuga do dreno dos transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. Também foram estudadas as influências das dimensões do comprimento L e da largura W do canal na corrente de fuga do dreno. Os resultados experimentais foram validados através de simulações numéricas bidimensionais realizadas com o simulador numérico MEDICI. Como resultado deste trabalho, foi observado que a corrente de fuga do dreno de transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas é diretamente proporcional a largura do canal e inversamente proporcional ao comprimento de canal para dispositivos cujo comprimento de canal seja até 20µm e para transistores com comprimento de canal superior a 20µm, a corrente de fuga só depende diretamente da largura do canal do transistor. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 94/01425-2 - Desempenho de dispositivos soi em alta temperatura. |
| Beneficiário: | Marcello Bellodi |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |