Texto completo
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| Autor(es): |
Marcello Bellodi
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Tese de Doutorado |
| Imprenta: | São Paulo. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) |
| Data de defesa: | 2001-06-22 |
| Membros da banca: |
João Antonio Martino;
Alvaro Romanelli Cardoso;
Ely Antonio Tadeu Dirani;
Aparecido Sirley Nicolett;
Sebastião Gomes dos Santos Filho
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| Orientador: | João Antonio Martino |
| Resumo | |
Apresentamos neste trabalho um estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno presentes em transistores MOSFET implementados na tecnologia SOI, quando submetidos a altas temperaturas. Para a realização deste estudo, uma série de dispositivos foram caracterizados eletricamente, sob diversas condições de polarizações do substrato e dreno, com diferentes comprimentos de canal, para a faixa de temperatura compreendida entre a temperatura ambiente e 300\'GRAUS\'C. Para nos auxiliar nos estudos, também foram realizadas simulações numéricas bidimensionais através das quais, foi viabilizado o entendimento dos diversos mecanismos de condução das correntes de fuga ao longo do canal dos transistores SOI MOSFET operando em altas temperaturas. Como resultados deste trabalho, notou-se que os mecanismos que regem a condução das correntes de fuga do dreno variam em função do tipo do canal, das dimensões físicas dos dispositivos e também, da polarização aplicada no substrato. De uma forma geral, nos transistores SOI pMOSFET modo acumulação e nos SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se como portadores responsáveis pela condução das correntes de fuga os elétrons e as lacunas, respectivamente, quando estes dispositivos estão submetidos às altas temperaturas e operando na região de fuga. Também foram propostos modelos semi-analíticos para os SOI MOSFETs analisados, que quando implementados em simuladores de circuitos (PSPICE), permitem determinar qual será o comportamento das correntes de fuga diante das condições de operação impostas aos dispositivos e com a variação da temperatura. Determinou-se que os dispositivos SOI pMOSFET modo acumulação operando na região de fuga, comportam-se como a associação de pares de diodos conectados pelos catodos presentes nas primeira e segunda interfaces, além de um resistor representando a componente da corrente de corpo. Analogamente para os SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se que ) tanto o corpo como as interfaces são representados por pares de diodos conectados pelo anodo, representando cada uma das componentes que compõe a corrente total de fuga do dreno. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 96/12611-7 - Modelamento empírico e analítico de transistores SOI MOS em altas temperaturas |
| Beneficiário: | Marcello Bellodi |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |