Desenvolvimento e caracterização de uma fonte de plasma ECR para deposição de filmes finos

Autor(es)

José Antonio Sevidanes da Matta

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 2001-02-01

Membros da banca

Ricardo Magnus Osorio Galvao; Marcia Carvalho de Abreu Fantini; Milton Eiji Kayama; Mario Ueda; Alvaro Vannucci

• Orientador: Ricardo Magnus Osorio Galvao

Resumo

Neste trabalho são apresentados o projeto, construção, caraterização e utilização de um dispositivo de produção de plasmas por absorção de ondas eletromagnéticas, na frequência ciclotrônica dos elétrons - ECR (\"electron-cyclotron resonance\"), Os fundamentos teóricos dos processos físicos relevantes, tanto com relação a absorção das ondas eletromagnéticas como quanto ao diagnóstico do plasma, são discutidos de forma a permitir uma apresentação completa do tema, A construção e a utilização do dispositivo, para crescimento de filmes semicondutores de interesse sobre substratos de silício, são descritos em detalhe. No caso de filmes de nitreto de boro cúbico, as experiências não tiveram êxito devido a impossibilidade de conseguir a fonte de boro prevista no projeto, decaborana, Já no caso de nitreto de alumínio hexagonal, foi possível demonstrar, pela primeira vez diretamente em dispositivos ECR, o crescimento de grãos policristalinos, A configuração magnética e os parâmetros de plasma apropriados para crescimento de nitreto de alumínio foram devidamente determinados. (AU)

• Processo FAPESP: 96/11951-9 - Deposição de filmes de nitreto de boro (BN) e fonte de plasma para deposição de filmes em áreas extensas
• Beneficiário: José Antônio Sevidanes da Matta
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado