LASER SEMICONDUTOR HETEROGÊNEO III-V EM SILÍCIO

LASER SEMICONDUTOR HETEROGÊNEO III-V EM SILÍCIO A presente invenção se dá na forma de um laser de III-V em silício (Si) integrado de maneira heterogênea empregando microanéis acoplados como espelhos óticos sintonizáveis seletivos de comprimento de onda. A estrutura acoplada é composta por microanéis externos de raio de 40 µm com dois microanéis incorporadas de raios ligeiramente inferiores a 20 µm acoplados entre si, dando origem a um espelho óptico reconfigurável, seletivo e dispersivo. O material III-V é colado em cima de uma estrutura wafer de SOI (Silicon on insulator) de 400nm de espessura por adesivo ligado com BCB (benzociclobuteno). Esta nova configuração tem aplicações potenciais, tanto a sintonização quanto o controle de largura de linha dos lasers III-V em Si.