| Escritório | INPI |
| Tipo de documento: | Patente |
| Inventor(es): | Carlos Kenichi Suzuki; Raul Fernando Cuevas Rojas |
| Depositante: | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Universidade Estadual de Campinas Unicamp |
| Ano: | 2004 |
| Número do Pedido: | PI 0404965-9 |
| IPC: | C03B 37/018 C23C 16/40 C23C 16/453 C23C 16/52 |
"PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORM-AS DE SiO~ 2~
| Processo FAPESP: | 00/15035-4 - Estudo da formação de defeitos relacionados com a não-linearidade de segunda ordem em preformas vítreas de SiO2:GeO2 fabricadas pela técnica de deposição em fase de vapor - VAD |
| Beneficiário: | Raul Fernando Cuevas Rojas |
| Pesquisador responsável: | Carlos Kenichi Suzuki |
| Instituição: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM) |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Processo FAPESP: | 04/03151-0 - Método para induzir, controlar e aumentar a criação de centros de defeitos associados a fotosensitividade e geração do segundo harmônico em preformas de SiO2:GeO2 fabricadas pela técnica de deposição axial em fase vapor (VAD) |
| Beneficiário: | Raul Fernando Cuevas Rojas |
| Pesquisador responsável: | Raul Fernando Cuevas Rojas |
| Instituição: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM) |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Programa de Apoio à Propriedade Intelectual (PAPI/Nuplitec) |