Resumo
Este projeto tem como objetivo o crescimento por epitaxia por feixe molecular (MBE, molecular beam epitaxy) de camadas de pontos quânticos auto-organizados de InAs/GaAs para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. A principal meta é obter estruturas de alta qualidade emitindo nos comprimentos de onda de interesse para a telecomunicação por fibras ópticas (1.3 e 1.55μm). A maior pa…