Professora Adjunta da Escola Superior de Ciência e Tecnologia (ESCT) do ISPGaya (2021) e investigadora no grupo de pesquisa de Sistemas Eletrônicos e Nanoeletrônicos Aplicados http://dgp.cnpq.br/dgp/espelhogrupo/9107432763200161. Docente do Departamento de Engenharia Elétrica do Centro Universitário FEI (2017-2020). Doutora em Engenharia Elétrica na área de Dispositivos Eletrônicos Integrados com estágio de seis meses na Université catholique de Louvain (UCL), Bélgica. Foi professora do Ensino Fundamental II e Ensino Médio no Colégio Catamarã Vita, onde lecionou Robótica e Matemática (2017-2019). Possui graduação (2009) e mestrado (2012) em Engenharia Elétrica pelo Centro Universitário FEI, atuando principalmente nos seguintes temas: simulação, caracterização elétrica e modelagem de transistores MOS. (Fonte: Currículo Lattes)
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A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-on-Insulator - SOI) tem evoluído e oferecido novas arquiteturas para os dispositivos, como os transistores SOI de múltiplas portas (SOI MuGFETs), que possuem excelentes características elétricas. Entre os novos dispositivos, o FinFET tem se mostrado um excelente candidato às futuras aplicações industriais. Por sua complexidade construtiva e dim…
A tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator - Silício Sobre Isolante) surgiu com o objetivo de responder à constante demanda pela redução das dimensões dos transistores de circuitos integrados, permitindo que estas sejam reduzidas além dos limites da tecnologia convencional. Os transistores SOI de camada e óxido enterrado ultrafinos (UTBB), assim como os FinFETs (múltiplas portas), são reconhe…
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