Resumo
Com o avanço da tecnologia de fabricação de circuitos integrados, as dimensões dos transistores foram reduzidos para escalas nanométricas, onde problemas como o efeito de canal curto e a alta potência dissipada no dispositivo se tornam críticos.Com o intuito de minimizar o problema do efeito de canal curto surgiu a alternativa estrutural de substituir o tradicional transistor MOSFET de po…