CV Lattes
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Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Bacharelado em Física pelo Instituto de Física (1984), mestrado em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (1987) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (1995). Atualmente é coordenador do programa ci brasil - (MCTI) Ministério da Ciência, tecnologia e Inovação, membro do comite gestor do programa ci brasil - (MCTI) Ministério da Ciência, tecnologia e Inovação, dt2 - (MCTI) Ministério da Ciência, tecnologia e Inovação, colaborador - (MCTI) Ministério da Ciência, tecnologia e Inovação, diretor financeiro da Associação Brasileira da Indústria Elétrica e Eletrônica, consultor - Chilean Research Council, bolsista de produtividade dt 2 do Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico ate 2018, professor convidado - Faculdade de Tecnologia de São Paulo, Presidente da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, Diretor presidente da Associação do Laboratório de Sistemas Integráveis Tecnológico Nordeste, Presidente da Associação do Laboratório de Sistemas Integráveis Tecnológico e coordenador da dmi/lsi/psi/epusp da Universidade de São Paulo. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores, atuando principalmente nos seguintes temas: óxido de silício, microeletrônica, pecvd, teos e sensores integrados. (Fonte: Currículo Lattes)
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O presente trabalho visa produzir diodos laser e superluminescentes com comprimento de onda estabilizado, para aplicações em interferometria e, em particular, na estabilização do fator de escala de um girômetro a fibra óptica, que basicamente é um interferômetro de Sagnac. É sabido que a relação entre a diferença de fase medida e a rotação a que o girômetro a fibra está submetido é invers…
Este trabalho tem como objetivo a implementação de um sensor óptico de pressão baseado no Interferômetro Mach-Zehnder (IMZ), dando continuidade aos estudos previamente realizados por Bulla, D.A.P. (1), que desenvolveu e caracterizou filmes finos de óxidos de silício e nitreto de silício para a fabricação de guias ópticos e sensores. Primeiramente, será realizado um levantamento das teoria…
Estudar o processo de cristalização em fase sólida para aplicação no processo de fabricação de Transistores de Filmes Finos (TFTs), e desenvolver o processo de fabricação de transistores de filmes finos, canal P, visando sua aplicação na Tecnologia MOS. A tecnologia de fabricação de Transistores de Filmes Finos (TFTs) é amplamente utilizada pela indústria de painéis de cristal liquido. Es…
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