Deposição de filmes de alumina mediante bombardeamento iônico por imersão em plasmas

Resumo

A motivação do presente trabalho é investigar as condições de deposição de filmes de óxido de alumínio em plasmas de descargas luminescentes que promovam o crescimento de fases cristalinas pela associação de bombardeamento iônico e aquecimento resistivo do substrato. Para tanto, o estudo será dividido em duas etapas. Na primeira, as amostras serão preparadas a partir de plasmas de radiofrequência de misturas de trimetilalumínio, oxigênio e argônio. A excitação da descarga será promovida pelo porta-amostras que será aquecido. Variando-se a concentração de oxigênio, na proporção inversa à de argônio, a influência da composição do plasma nas propriedades dos filmes será analisada. Os efeitos da potência do plasma e da temperatura de deposição também serão avaliados. Na etapa subseqüente, filmes serão depositados sobre substratos aquecidos mediante bombardeamento iônico, utilizando-se os mesmos compostos. Neste caso, entretanto, o plasma será estabelecido pelo eletrodo superior e polarizando-se o porta-amostras aquecido com pulsos de alta tensão negativa. A intensidade e a freqüência dos pulsos serão variadas juntamente com a temperatura de deposição de modo a se determinar qual a temperatura mínima em que há formação de fases cristalinas. A presença de grupos orgânicos nos filmes será verificada por espectroscopia no infravermelho e a dureza será medida em testes de Nanoindentação. A morfologia e a rugosidade das amostras serão determinadas pelas microscopias eletrônica de varredura e de força atômica, respectivamente. A presença de fases cristalinas será analisada por Difração de Raios-X e a suas proporções pelo método Rietveld. (AU)