Transistores de contato de eletrólito baseado em filmes de WO3

Resumo

O grande objetivo desse projeto é explorar e aplicar a tecnologia da modulação de dispositivos por meio de contato de eletrólitos, através do estudo da influência das propriedades físico-químicas dos materiais e design em transistores de filme finos. Transistores são dispositivos eletrônicos que são capazes de modular e amplificar sinais de corrente elétrica. Entre as muitas estratégias possíveis para o aprimoramento dos transistores, existe um interesse em soluções que acarretem na diminuição do consumo energético. Nesse sentido, a modulação por contato de eletrólito (baseada em soluções iônicas, líquidos iônicos ou gel iônicos) é uma abordagem muito promissora devido à alta capacitância e baixa resistência de contato que pode ser obtida. Especificamente, o projeto propõe estudar a influência da morfologia de materiais nanoestruturados derivados do trióxido de tungstênio (WO3) no desempenho de transistores de eletrólito que utilizam esses materiais como canal do dispositivo. Esse projeto está planejado para ser executado sob a co-supervisão do professor Dr. Marcelo Ornaghi Orlandi (IQ-UNESP) e a professora doutora Clara Santato (Polytechnique Montreal) em que parte das atividades do doutorado (síntese e caracterização dos materiais por microscopia eletrônica) estão sendo executadas no Brasil e parte está proposta para acontecer no Canada (fabricação dos dispositivos), para combinar de maneira sinergética o conhecimento e infraestrutura dos dois grupos para a obtenção de resultados de alto impacto. (AU)