Desenvolvimento de um fotodetector UV usando um diodo Schottky e um transistor à base de ZnO por spray pyrolysis

Resumo

Elevados valores de índice de radiação ultravioleta em países tropicais e subtropicais apresentam riscos à saúde pública, principalmente quanto à possibilidade de causar câncer de pele. O monitoramento da exposição à radiação UV através de circuitos finos, flexíveis e que possam ser impressos, é uma proposta fascinante. Para isso são necessários materiais de baixo custo que possam ser processados por solução. O ZnO é um semicondutor que se destaca nesse quesito. Ele possui elevado valor de mobilidade e é promissor para aplicação como sensor UV por possuir um gap de energia de 3,3 eV, que corresponde ao início do espectro da luz UV (320~400 nm). O uso da técnica de spray pyrolysis para obtenção do ZnO é interessante por permitir que ele seja extraído de um precursor orgânico. Esse material pode ser utilizado para o desenvolvimento de um diodo Schottky que possa atuar como um bom sensor para radiação UV. Além disso, ele também pode ser utilizado para o desenvolvimento de um transistor, componente eletrônico extremamente importante presente em praticamente todos os circuitos eletrônicos. A combinação do diodo Schottky a um transistor de filme fino permite formar um fotodetector capaz de "pré-processar" o sinal, regulando a voltagem de saída e selecionando a intensidade e o comprimento de onda a ser detectado. (AU)