| Texto completo | |
| Autor(es): |
Balanta, M. A. G.
[1]
;
Brasil, M. J. S. P.
[1]
;
Iikawa, F.
[1]
;
Brum, J. A.
[1]
;
Mendes, Udson C.
[1]
;
Danilov, Yu. A.
[2]
;
Dorokhin, M. V.
[2]
;
Vikhrova, Olga V.
[2]
;
Zvonkov, Boris N.
[2]
Número total de Autores: 9
|
| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Univ Estadual Campinas, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083859 Campinas, SP - Brazil
[2] Lobachevsky State Univ Nizhni Novgorod, Physicotech Res Inst, Nizhnii Novgorod 603950 - Russia
Número total de Afiliações: 2
|
| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Journal of Applied Physics; v. 116, n. 20 NOV 28 2014. |
| Citações Web of Science: | 5 |
| Resumo | |
We investigated the effects of nearby Mn ions on the confined states of a InGaAs/GaAs quantum well through circularly polarized and magneto-optical measurements. The addition of a Mn delta-doping layer at the barrier close to the well gives rise to surprisingly narrow absorption peaks in the photoluminescence excitation spectra. The peaks become increasingly stronger for decreasing spacer-layer thicknesses between the quantum well and the Mn layer. Most of the peaks were identified based on self-consistent calculations; however, we observed additional peaks that cannot be identified with quantum well transitions, which origin we attribute to an enhanced exciton-phonon coupling. Finally, we discuss possible effects related to the exciton magneto-polaron complex in the reinforcement of the photoluminescence excitation peaks. (C) 2014 AIP Publishing LLC. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 11/20985-6 - Spin de portadores em estruturas semicondutoras investigado por técnicas ópticas |
| Beneficiário: | Maria José Santos Pompeu Brasil |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 10/11393-5 - Propriedades Eletrônicas e Ópticas de Semicondutores de Baixa Dimensionalidade |
| Beneficiário: | Udson Cabral Mendes |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 11/50975-2 - Propriedades opticas de nanoestruturas semicondutoras |
| Beneficiário: | Fernando Iikawa |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |