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(Referência obtida automaticamente do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Carbeto de Silício como Material Base para Sensores MEMS de Uso Aeroespacial: Uma Visão Geral

Texto completo
Autor(es):
M.A. Fraga [1] ; R. S. Pessoa [2] ; M. Massi [3] ; H. S. Maciel [4]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] FATEC. CEETEPS. Departamento de Ensino Geral
[2] UNIVAP. Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento
[3] UNIFESP. Instituto de Ciência e Tecnologia
[4] UNIVAP. Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: MATERIA-RIO DE JANEIRO; v. 19, n. 3, p. 274-290, 2014-09-00.
Resumo

Este artigo discute o emprego do carbeto de silício (SiC), na forma de substrato e filme fino, em sensores MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) para aplicações em ambientes sujeitos a condições extremas, especialmente no setor aeroespacial. As propriedades físicas e químicas do SiC que o tornam um material adequado para dispositivos eletrônicos e sensores são descritas. Os conceitos, evolução e aplicações da tecnologia MEMS são apresentados. Uma visão geral sobre o estágio atual de desenvolvimento de sensores MEMS baseados em SiC e uma análise das pesquisas realizadas nesta área no exterior e no Brasil, tanto nas universidades quanto nas indústrias, são também apresentadas. Os recentes avanços alcançados, as dificuldades encontradas e o impacto dessas pesquisas são discutidos, bem como as perspectivas para um futuro próximo. (AU)

Processo FAPESP: 11/50773-0 - Núcleo de excelência em física e aplicações de plasmas
Beneficiário:Ricardo Magnus Osório Galvão
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático