Carbeto de Silício como Material Base para Sensores MEMS de Uso Aeroespacial: Uma Visão Geral

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Autor(es):	M.A. Fraga ; R. S. Pessoa ; M. Massi ; H. S. Maciel Número total de Autores: 4
Tipo de documento:	Artigo Científico
Fonte:	MATERIA-RIO DE JANEIRO; v. 19, n. 3, p. 274-290, Set. 2014.
Resumo
Este artigo discute o emprego do carbeto de silício (SiC), na forma de substrato e filme fino, em sensores MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) para aplicações em ambientes sujeitos a condições extremas, especialmente no setor aeroespacial. As propriedades físicas e químicas do SiC que o tornam um material adequado para dispositivos eletrônicos e sensores são descritas. Os conceitos, evolução e aplicações da tecnologia MEMS são apresentados. Uma visão geral sobre o estágio atual de desenvolvimento de sensores MEMS baseados em SiC e uma análise das pesquisas realizadas nesta área no exterior e no Brasil, tanto nas universidades quanto nas indústrias, são também apresentadas. Os recentes avanços alcançados, as dificuldades encontradas e o impacto dessas pesquisas são discutidos, bem como as perspectivas para um futuro próximo. (AU)