Carbeto de Silício como Material Base para Sensores MEMS de Uso Aeroespacial: Uma Visão Geral

Autor(es)

M.A. Fraga ^[1] ; R. S. Pessoa ^[2] ; M. Massi ^[3] ; H. S. Maciel ^[4]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] FATEC. CEETEPS. Departamento de Ensino Geral

^[2] UNIVAP. Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento

^[3] UNIFESP. Instituto de Ciência e Tecnologia

^[4] UNIVAP. Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: MATERIA-RIO DE JANEIRO; v. 19, n. 3, p. 274-290, 2014-09-00.

Resumo

Este artigo discute o emprego do carbeto de silício (SiC), na forma de substrato e filme fino, em sensores MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) para aplicações em ambientes sujeitos a condições extremas, especialmente no setor aeroespacial. As propriedades físicas e químicas do SiC que o tornam um material adequado para dispositivos eletrônicos e sensores são descritas. Os conceitos, evolução e aplicações da tecnologia MEMS são apresentados. Uma visão geral sobre o estágio atual de desenvolvimento de sensores MEMS baseados em SiC e uma análise das pesquisas realizadas nesta área no exterior e no Brasil, tanto nas universidades quanto nas indústrias, são também apresentadas. Os recentes avanços alcançados, as dificuldades encontradas e o impacto dessas pesquisas são discutidos, bem como as perspectivas para um futuro próximo. (AU)

• Processo FAPESP: 11/50773-0 - Núcleo de excelência em física e aplicações de plasmas
• Beneficiário: Ricardo Magnus Osório Galvão
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático