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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Evidence for resonant scattering of electrons by spin fluctuations in LaNiO3/LaAlO3 heterostructures grown by pulsed laser deposition

Texto completo
Autor(es):
Sergeenkov, S. [1] ; Cichetto, Jr., L. [2, 3, 4] ; Longo, E. [3, 4] ; Araujo-Moreira, F. M. [2]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Paraiba, CCEN, Dept Fis, BR-58051970 Joao Pessoa, Paraiba - Brazil
[2] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[3] Univ Fed Sao Carlos, Dept Chem, LIEC, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[4] Univ Estadual Paulista, UNESP, Inst Chem, BR-14801907 Araraquara, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: JETP LETTERS; v. 102, n. 6, p. 383-386, SEP 2015.
Citações Web of Science: 5
Resumo

We present measurements of resistivity rho in highly oriented LaNiO3 films grown on LaAlO3 substrates by using a pulsed laser deposition technique. The experimental data are found to follow a universal rho(T) ae T (3/2) dependence for the entire temperature interval (20 K T 300 K). The observed behavior has been attributed to a resonant scattering of electrons on antiferromagnetic fluctuations (with a characteristic energy h omega (sf) a parts per thousand integral 2.1 meV) triggered by spin-density wave propagating through the interface boundary of LaNiO3/LaAlO3 sandwich. (AU)

Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
Beneficiário:Elson Longo da Silva
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs
Processo FAPESP: 14/01371-5 - Obtenção de memórias com LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 utilizando PLD
Beneficiário:Leonélio Cichetto Junior
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado