| Texto completo | |
| Autor(es): |
Galeti, H. V. A.
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Galvao Gobato, Y.
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Brasil, M. J. S. P.
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Taylor, D.
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Henini, M.
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Número total de Autores: 5
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Engn Eletr, BR-13560905 Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13560905 Sao Carlos, SP - Brazil
[3] Univ Estadual Campinas, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083859 Campinas, SP - Brazil
[4] Univ Nottingham, Nottingham Nanotechnol & Nanosci Ctr, Sch Phys & Astron, Nottingham NG7 2RD - England
Número total de Afiliações: 4
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS; v. 47, n. 3, p. 1780-1785, MAR 2018. |
| Citações Web of Science: | 0 |
| Resumo | |
We have investigated the spin properties of a two-dimensional hole gas (2DHG) formed at the contact layer of a p-type GaAs/AlAs resonant tunneling diode (RTD). We have measured the polarized-resolved photoluminescence of the RTD as a function of bias voltage, laser intensity and external magnetic field up to 15T. By tuning the voltage and the laser intensity, we are able to change the spin-splitting from the 2DHG from almost 0 meV to 5 meV and its polarization degree from - 40% to + 50% at 15T. These results are attributed to changes of the local electric field applied to the two-dimensional gas which affects the valence band and the hole Rashba spin-orbit effect. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 12/24055-6 - Propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores |
| Beneficiário: | Yara Galvão Gobato |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 16/10668-7 - Propriedades óticas, magneto-óticas, de transporte e magneto-transporte de materiais semicondutores bidimensionais baseados em materiais de transição dicalcogenados |
| Beneficiário: | Yara Galvão Gobato |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |