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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Investigation of trapping levels in p-type Zn(3)P(2 )nanowires using transport and optical properties

Texto completo
Autor(es):
Lombardi, G. A. [1] ; de Oliveira, F. M. [2] ; Teodoro, M. D. [2] ; Chiquito, A. J. [1]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, NanO LaB, CP 676, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, Grp Nanoestruturas Semicond, CP 676, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Applied Physics Letters; v. 112, n. 19 MAY 7 2018.
Citações Web of Science: 3
Resumo

Here, we report the synthesis and structural characterization of high-quality Zn3P2 nanowires via chemical vapour deposition. Structural and morphological characterization studies revealed a reliable growth process of long, uniform, and single-crystalline nanowires. From temperature dependent transport and photoluminescence measurements, we have observed the contribution of different acceptor levels (15, 50, 70, 90, and 197 meV) to the conduction mechanisms. These levels were associated with zinc vacancies and phosphorous interstitial atoms which assigned a p-type character to this semiconductor. From time resolved photoluminescence experiments, a 91 ps lifetime decay was found. Such a fast lifetime decay is in agreement with the exciton transition along the bulk emission from high quality crystalline nanowires. Published by AIP Publishing. (AU)

Processo FAPESP: 13/18719-1 - Dinâmica de portadores eletrônicos em nanoestruturas semicondutoras
Beneficiário:Marcio Daldin Teodoro
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores
Processo FAPESP: 13/17639-4 - Obtenção de semicondutores nanoestruturados: correlação das propriedades fotocatalíticas com suas características estruturais
Beneficiário:Waldir Avansi Junior
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 14/19142-2 - Caracterização e processamento de nanoestruturas semicondutoras e aplicações como dispositivos
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 16/14381-4 - Nanofios semicondutores para o desenvolvimento de dispositivos fotovoltaicos
Beneficiário:Adenilson José Chiquito
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular