Investigation of trapping levels in p-type Zn(3)P(2 )nanowires using transport and optical properties

Autor(es)

Lombardi, G. A. ^[1] ; de Oliveira, F. M. ^[2] ; Teodoro, M. D. ^[2] ; Chiquito, A. J. ^[1]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, NanO LaB, CP 676, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil

^[2] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, Grp Nanoestruturas Semicond, CP 676, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Applied Physics Letters; v. 112, n. 19 MAY 7 2018.
• Citações Web of Science: 3

Resumo

Here, we report the synthesis and structural characterization of high-quality Zn3P2 nanowires via chemical vapour deposition. Structural and morphological characterization studies revealed a reliable growth process of long, uniform, and single-crystalline nanowires. From temperature dependent transport and photoluminescence measurements, we have observed the contribution of different acceptor levels (15, 50, 70, 90, and 197 meV) to the conduction mechanisms. These levels were associated with zinc vacancies and phosphorous interstitial atoms which assigned a p-type character to this semiconductor. From time resolved photoluminescence experiments, a 91 ps lifetime decay was found. Such a fast lifetime decay is in agreement with the exciton transition along the bulk emission from high quality crystalline nanowires. Published by AIP Publishing. (AU)

• Processo FAPESP: 13/17639-4 - Obtenção de semicondutores nanoestruturados: correlação das propriedades fotocatalíticas com suas características estruturais
• Beneficiário: Waldir Avansi Junior
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 13/18719-1 - Dinâmica de portadores eletrônicos em nanoestruturas semicondutoras
• Beneficiário: Marcio Daldin Teodoro
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
• Processo FAPESP: 16/14381-4 - Nanofios semicondutores para o desenvolvimento de dispositivos fotovoltaicos
• Beneficiário: Adenilson José Chiquito
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 14/19142-2 - Caracterização e processamento de nanoestruturas semicondutoras e aplicações como dispositivos
• Beneficiário: Gilmar Eugenio Marques
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático