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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Quasiparticle bands and optical properties of SnSe from an ab initio approach

Texto completo
Autor(es):
Melendez, Juan J. [1, 2] ; Gonzalez-Romero, Robert L. [3] ; Antonelli, Alex [4]
Número total de Autores: 3
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Extremadura, Dept Phys, Ave Elvas S-N, Badajoz 06006 - Spain
[2] Inst Adv Sci Comp Extremadura ICCAEx, Ave Elvas S-N, Badajoz 06006 - Spain
[3] Univ Pablo Olavide, Dept Sistemas Fis Quim & Nat, Ctra Utrera, Km 1, Seville 41013 - Spain
[4] Univ Estadual Campinas, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083859 Sao Paulo - Brazil
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE; v. 152, p. 107-112, SEP 2018.
Citações Web of Science: 1
Resumo

We present an ab initio study of the nature of the optical and quasiparticle gaps of SnSe. The density functional theory and the many-body perturbation theory under the GW approximation show that SnSe exhibits an indirect quasiparticle bandgap of 0.64 eV, which agrees with the experimental evidence. The optical gap, on the contrary, is direct and ranges between 0.9 and 1.1 eV for thin films. The optical absorption spectrum of SnSe evidences the formation of excitons, whose binding energies depend on the polarization of the incident electric field. Finally, we show evidences that the optical gap of single crystals arises from indirect transitions. (AU)

Processo FAPESP: 13/08293-7 - CECC - Centro de Engenharia e Ciências Computacionais
Beneficiário:Munir Salomao Skaf
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs
Processo FAPESP: 13/14065-7 - Estudo das propriedades eletrônicas, estruturais e de transporte de clatratos para aplicações termoelétricas através de cálculos de primeiros princípios
Beneficiário:Robert Luis González Romero
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado