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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

UV Phototransistors-Based Upon Spray Coated and Sputter Deposited ZnO TFTs

Texto completo
Autor(es):
Kumar, Dinesh [1] ; Gomes, Tiago Carneiro [2, 1] ; Alves, Neri [3] ; Fugikawa-Santos, Lucas [2] ; Smith, Graham C. [4] ; Kettle, Jeff [1]
Número total de Autores: 6
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Bangor Univ, Sch Elect, Bangor LL57 1UT, Gwynedd - Wales
[2] Sao Paulo State Univ UNESP, Inst Geosci & Exact Sci, BR-13506900 Rio Claro, SP - Brazil
[3] Sao Paulo State Univ Unesp, Sch Technol & Sci, BR-19060900 Presidente Prudente - Brazil
[4] Univ Chester, Fac Sci & Engn, Chester CH2 4NU, Cheshire - England
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: IEEE SENSORS JOURNAL; v. 20, n. 14, p. 7532-7539, JULY15, 2020.
Citações Web of Science: 0
Resumo

A comparison of Zinc Oxide (ZnO) phototransistors prepared by spray and sputter coating process is presented. The work shows that spray coated layers provide significant advantages in sensor response over ZnO phototransistors made by physical vapour deposition and we show that spray deposited ZnO phototransistors can exhibit state-of-the-art performances for UV photodetectors. Topographic images of the samples surface shows that there is increase in surface roughness in spray coated samples indicating increasing grain sizes, which is considered the source of the greater sensor responsivity. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is also used to understand the root cause of the greater UV responsivity. It was observed that sprayed ZnO TFTs are more sensitive to UV radiation due to higher adsorption of oxygen level. Responsivity and external quantum efficiency (EQE) of the sprayed and sputtered ZnO TFTs are also evaluated. (AU)

Processo FAPESP: 19/05620-3 - Testes de stress elétrico de transistores de ZnO e IGZO baseados em um novo procedimento de ensaio
Beneficiário:Lucas Fugikawa Santos
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Processo FAPESP: 14/13904-8 - Estudo de transistores à base de ZnO e TIPs-Pentaceno para uso em inversores híbridos impressos
Beneficiário:Tiago Carneiro Gomes
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 16/03484-7 - Estudos de estabilidade em transistores obtidos por spray ultrassônico e pirólise de precursores orgânicos de ZnO.
Beneficiário:Tiago Carneiro Gomes
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado