| Texto completo | |
| Autor(es): |
Rodrigues, C. G.
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Fernandez, J. R. L.
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Leite, J. R.
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Chitta, V. A.
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Freire, V. N.
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Vasconcellos, A. R.
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Luzzi, R.
Número total de Autores: 7
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Journal of Applied Physics; v. 95, n. 9, p. 4914-4917, May 2004. |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física |
| Assunto(s): | Termodinâmica Materiais nanoestruturados Desenvolvimento de novos materiais |
| Resumo | |
We consider the nonequilibrium thermodynamic state of carriers in III-nitrides, and calculate the mobility of holes in cubic GaN layers under electric fields of low intensity. The contribution of different scattering mechanisms to the mobility is analyzed, and the relevance of each one is characterized. Satisfactory agreement with recently published experimental data is obtained. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 02/06694-0 - Mecânica estatística de sistemas dissipativos |
| Beneficiário: | Roberto Luzzi |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |