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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots

Texto completo
Autor(es):
Duarte, C. A. ; Silva, E. C. F. da ; Quivy, A. A. ; Silva, M. J. da ; Martini, S. ; Leite, J. R. ; Meneses, E. A. ; Laureto, E.
Número total de Autores: 8
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Journal of Applied Physics; v. 93, n. 10, p. 6279-6283, May 2003.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):Fotoluminescência   Microscopia eletrônica
Resumo

Photoluminescence (PL) spectroscopy and atomic-force microscopy (AFM) were used to investigate the size evolution of InAs quantum dots on GaAs(001) as a function of the amount of InAs material. Different families of islands were observed in the AFM images and unambiguously identified in the PL spectra, together with the signal of the wetting layer. PL measurements carried out at low and intermediate temperatures showed a thermal carrier redistribution among dots belonging to different families. The physical origin of this behavior is explained in terms of the different temperature dependence of the carrier-capture rate into the quantum dots. At high temperatures, an enhancement of the total PL-integrated intensity of the largest-sized quantum dots was attributed to the increase of diffusivity of the photogenerated carriers inside the wetting layer. (AU)

Processo FAPESP: 95/05651-0 - Scanning probe microscope para multi-usuários
Beneficiário:Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Programa Infra-estrutura - Equipamentos
Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
Beneficiário:Marcelo Jacob da Silva
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 00/08794-6 - Investigação das propriedades eletrônicas de poços quânticos com dopagem planar na barreira e de pontos quânticos
Beneficiário:Euzi Conceição Fernandes da Silva
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático