Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots

Autor(es)

Duarte, C. A. ; Silva, E. C. F. da ; Quivy, A. A. ; Silva, M. J. da ; Martini, S. ; Leite, J. R. ; Meneses, E. A. ; Laureto, E.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Journal of Applied Physics; v. 93, n. 10, p. 6279-6283, May 2003.
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Assunto(s): Fotoluminescência Microscopia eletrônica

Resumo

Photoluminescence (PL) spectroscopy and atomic-force microscopy (AFM) were used to investigate the size evolution of InAs quantum dots on GaAs(001) as a function of the amount of InAs material. Different families of islands were observed in the AFM images and unambiguously identified in the PL spectra, together with the signal of the wetting layer. PL measurements carried out at low and intermediate temperatures showed a thermal carrier redistribution among dots belonging to different families. The physical origin of this behavior is explained in terms of the different temperature dependence of the carrier-capture rate into the quantum dots. At high temperatures, an enhancement of the total PL-integrated intensity of the largest-sized quantum dots was attributed to the increase of diffusivity of the photogenerated carriers inside the wetting layer. (AU)

• Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
• Beneficiário: Marcelo Jacob da Silva
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 95/05651-0 - Scanning probe microscope para multi-usuários
• Beneficiário: Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura - Equipamentos
• Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 00/08794-6 - Investigação das propriedades eletrônicas de poços quânticos com dopagem planar na barreira e de pontos quânticos
• Beneficiário: Euzi Conceição Fernandes da Silva
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular