Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure

Autor(es)

Seridonio, A. C. ^{[1, 2]} ; Yoshida, M. ^[3] ; Oliveira, L. N. ^[1]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] Univ Sao Paulo, Inst Fis Sao Carlos, Dept Fis & Informat, Sao Carlos, SP - Brazil

^[2] Univ Brasilia, ICCMP, BR-04513 Brasilia, DF - Brazil

^[3] Univ Estadual Paulista, Inst Geociencias & Ciencias Exatas, Dept Fis, BR-13500 Rio Claro, SP - Brazil

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: EPL; v. 86, n. 6 JUN 2009.
• Citações Web of Science: 13

Resumo

We show that the conductance of a quantum wire side-coupled to a quantum dot, with a gate potential favoring the formation of a dot magnetic moment, is a universal function of the temperature. Universality prevails even if the currents through the dot and the wire interfere. We apply this result to the experimental data of Sato et al. (Phys. Rev. Lett., 95 (2005) 066801). Copyright (C) EPLA, 2009 (AU)

• Processo FAPESP: 04/08928-3 - Desenvolvimento e aplicação de métodos computacionais de alto desempenho para análise de sistemas físicos e biológicos
• Beneficiário: Luiz Nunes de Oliveira
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários
• Processo FAPESP: 01/14974-0 - Novos métodos para cálculo de propriedades de impurezas em metais
• Beneficiário: Antonio Carlos Ferreira Seridonio
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado