Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray Renninger scanning

Morelhão‚ SL; Avanci‚ LH; Freitas‚ R.; Quivy‚ AA

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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray Renninger scanning

Texto completo
Autor(es):	Morelhão‚ SL ; Avanci‚ LH ; Freitas‚ R. ; Quivy‚ AA Número total de Autores: 4
Tipo de documento:	Artigo Científico
Fonte:	Microelectronics Journal; v. 36, n. 3, p. 219-222, 2005.

Processo FAPESP:	02/10185-3 - Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras obtidas por tecnicas especiais.
Beneficiário:	Alain André Quivy
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Regular


Processo FAPESP:	02/10387-5 - Algoritmo para determinação da fase de reflexões Bragg e aplicações
Beneficiário:	Sérgio Luiz Morelhão
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Regular

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