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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray Renninger scanning

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Autor(es):
Morelhão‚ SL ; Avanci‚ LH ; Freitas‚ R. ; Quivy‚ AA
Número total de Autores: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Microelectronics Journal; v. 36, n. 3, p. 219-222, 2005.
Processo FAPESP: 02/10185-3 - Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras obtidas por tecnicas especiais.
Beneficiário:Alain André Quivy
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 02/10387-5 - Algoritmo para determinação da fase de reflexões Bragg e aplicações
Beneficiário:Sérgio Luiz Morelhão
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular