Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Response of a rad-hard silicon diode for charged particles

Texto completo
Autor(es):
Bueno, C. C. ; Correa, Alan Anatoly de Souza [2] ; Camargo, F. ; Gonçalves, J. A. C. ; Rato Mendes, P. F. P.
Número total de Autores: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SP; v. 533, n. 3, p. 435-441, Nov. 2004.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):Espectrometria   Partículas (física nuclear)   Diodos   Silício
Resumo

In this paper, we describe the preliminary results about the response of an ion-implanted diode (Al/p(+)/n/n(+)/Al), developed in the framework of R&D programs for the future CMS experiment at Large Hadron Collider (LHC), for detection and spectrometry of alpha particles, internal conversion electrons and minimum ionizing particles (MIPs) envisaging its application to isotopic analysis of heavy elements. The effects of reverse bias voltage on capacitance and leakage current of the diode, as well as on its energy resolution, were also studied at room temperature. In spite of having a thick (650 nm) frontal layer of SiO2, responsible for an important straggling in the energy of the incident heavy charged particles, the results demonstrate that the diode under investigation has good performance for alpha spectrometry (FWHM = 18.8 keV for 5.486 MeV alpha particles from Am-241), comparable to those obtained with ordinary surface barrier detectors. Furthermore, internal conversion electrons with energies up to approximately 350 keV could be detected with a reasonable good energy resolution (FWHM = 6.6 keV for 320.32 keV electrons from Ba-133). (AU)

Processo FAPESP: 02/11261-5 - Desenvolvimento de um espectrômetro de elétrons de conversão interna baseado no uso de diodos de Si
Beneficiário:Alan Anatoly de Souza Corrêa
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
Processo FAPESP: 03/12720-6 - Desenvolvimento de um espectrômetro de partículas e radiação eletromagnética baseada no uso de diodos especiais de Si
Beneficiário:Carmen Cecília Bueno
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular