Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Fluorine doped SnO2 (FTO) nanobelts: some data on electronic parameters

Texto completo
Autor(es):
Amorim, Cleber A. [1] ; Dalmaschio, Cleocir J. [2] ; Leite, Edson R. [3] ; Chiquito, Adenilson J. [4]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Sao Carlos UFSCar. Dept Fis
[2] Univ Fed Sao Carlos UFSCar. Dept Quim
[3] Univ Fed Sao Carlos UFSCar. Dept Quim
[4] Univ Fed Sao Carlos UFSCar. Dept Fis
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS; v. 47, n. 4 JAN 29 2014.
Citações Web of Science: 1
Resumo

Fluorine doped SnO2 (FTO) nanobelts were synthesized and their transport properties, such as conduction mechanism, mobility, carrier density and density of states (DOS) were investigated. Variable range hopping was observed as the dominant mechanism in a large range of temperature (40-260 K). Through these data we estimated the localization length and hopping distance at 300K of FTO nanobelts exhibiting a three-dimensional character for carrier transport. The carrier mobility was calculated to be 48 cm(2) V-1 s(-1) for samples with carrier density of 2 x 10(18) cm(-3). Taking into account the parameters obtained from temperature-dependent resistivity and the above data, the characteristic DOS at Fermi level in our samples was found. (AU)

Processo FAPESP: 11/10171-1 - Transporte eletrônico e dispositivos em filmes de diamante
Beneficiário:Adenilson José Chiquito
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular