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Propriedades óticas, magneto-óticas, de transporte e magneto-transporte de materiais semicondutores bidimensionais baseados em materiais de transição dicalcogenados

Processo: 16/10668-7
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2016
Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2018
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Fotoluminescência  Propriedades ópticas 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:fotoluminescencia | metais de transição dicalcogenados | MoS2 | sistemas bidimensionais (2D) | Ws2 | Propriedades óticas

Resumo

Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades óticas e de transporte de materiais semicondutores bidimensionais (2D) baseados em metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M=Mo, W e X= S, Se ou Te). Os semicondutores 2D MTDs possuem assimetria de inversão de estrutura cristalina, gap de banda direto, forte interação spin-orbita e forte interação coulombiana e são sistemas promissores para aplicações em optoeletrônica. Pretendemos investigar suas propriedades usando técnicas de espectroscopia Raman, fotoluminescência (PL) e magneto-fotoluminescência resolvidas em polarização e resolvidas no tempo (PLRT) e de transporte e magneto-transporte. Em particular, pretendemos estudar monocamadas, multicamadas e heteroestruturas laterais e verticais e dispositivos de TMDs crescidos pela técnica de "chemical vapor deposition"(CVD) em diversas colaborações internacionais. (AU)

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Publicações científicas (23)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
SINGH, MOHIT KUMAR; BHUNIA, AMIT; AL HUWAYZ, MARYAM; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Role of interface potential barrier, Auger recombination and temporal coherence in In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dot-based p-i-n light emitting diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 52, n. 9, . (18/01808-5, 16/10668-7)
HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; et al. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8, . (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)
BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental evidences of quantum confined 2D indirect excitons in single barrier GaAs/AlAs/GaAs heterostructure using photocapacitance at room temperature. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 4, . (16/10668-7)
ASSIS, MARCELO; RIBEIRO, RENAN A. P.; CARVALHO COSTA, MARIA HELENA; MONDEGO TEIXEIRA, MAYARA; GALVAO GOBATO, YARA; PRANDO, GABRIELA A.; RENATO MENDONCA, CLEBER; DE BONI, LEONARDO; APARECIDO DE OLIVEIRA, ADILSON JESUS; BETTINI, JEFFERSON; et al. Unconventional Magnetization Generated from Electron Beam and Femtosecond Irradiation on alpha-Ag2WO4: A Quantum Chemical Investigation. ACS OMEGA, v. 5, n. 17, p. 10052-10067, . (18/11283-7, 13/07296-2, 16/10668-7, 16/20886-1, 18/01808-5, 17/24995-2)
FRANCO, DOUGLAS F.; MANZANI, DANILO; CARVAJAL, EDUAR E.; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; DONOSO, JOSE PEDRO; MAGON, CLAUDIO J.; ANTONIO, SELMA G.; GOBATO, YARA GALVAO; NALIN, MARCELO. Optical and EPR studies of zinc phosphate glasses containing Mn2+ ions. Journal of Materials Science, v. 55, n. 23, p. 14-pg., . (16/16900-9, 18/16126-7, 13/07793-6, 16/10668-7)
BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GOBATO, Y. GALVAO; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; et al. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys (vol 814, 15223, 2020). Journal of Alloys and Compounds, v. 817, p. 1-pg., . (14/50513-7, 18/01808-5, 16/10668-7)
GUNES, M.; UKELGE, M. O.; DONMEZ, O.; EROL, A.; GUMUS, C.; ALGHAMDI, H.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; SCHMIDBAUER, M.; HILSKA, J.; et al. Optical properties of GaAs1-xBix/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 12, . (14/50513-7, 16/10668-7)
ALGHAMDI, HAIFA; GORDO, VANESSA ORSI; SCHMIDBAUER, MARTIN; FELIX, JORLANDIO F.; ALHASSAN, SULTAN; ALHASSNI, AMRA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; COELHO-JUNIOR, HORACIO; GUNES, MUSTAFA; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; et al. Effect of thermal annealing on the optical and structural properties of (311)B and (001) GaAsBi/GaAs single quantum wells grown by MBE. Journal of Applied Physics, v. 127, n. 12, . (19/07442-5, 18/01808-5, 16/10668-7)
PITON, MARCELO RIZZO; KOIVUSALO, EERO; HAKKARAINEN, TEEMU; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; TALMILA, SOILE; SOUTO, SERGIO; LUPO, DONALD; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, . (14/50513-7, 18/01808-5, 16/10668-7)
PRANDO, G. A.; ORSI GORDO, V.; PUUSTINEN, J.; HILSKA, J.; ALGHAMDI, H. M.; SOM, G.; GUNES, M.; AKYOL, M.; SOUTO, S.; RODRIGUES, A. D.; et al. Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8, . (16/10668-7, 14/50513-7, 12/24055-6)
ORSI GORDO, V.; BALANTA, M. A. G.; GALVAO GOBATO, Y.; COVRE, F. S.; GALETI, H. V. A.; IIKAWA, F.; COUTO, JR., O. D. D.; QU, F.; HENINI, M.; HEWAK, D. W.; et al. Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. NANOSCALE, v. 10, n. 10, p. 4807-4815, . (16/16365-6, 14/50513-7, 12/11382-9, 16/10668-7)
AL MASHARY, FAISAL S.; FELIX, JORLANDIO F.; FERREIRA, SUKARNO O.; DE SOUZA, DANIELE; GOBATO, YARA G.; CHAUHAN, JASBINDER; ALEXEEVA, NATALIA; HENINI, MOHAMED; ALBADRI, ABDULRAHMAN M.; ALYAMANI, AHMED Y.. Investigation of the structural, optical and electrical properties of indium-doped TiO2 thin films grown by Pulsed Laser Deposition technique on low and high index GaAs planes. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, v. 259, . (18/01808-5, 16/10668-7)
FRANCO, DOUGLAS F.; MANZANI, DANILO; CARVAJAL, EDUAR E.; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; DONOSO, JOSE PEDRO; MAGON, CLAUDIO J.; ANTONIO, SELMA G.; GOBATO, YARA GALVAO; NALIN, MARCELO. Optical and EPR studies of zinc phosphate glasses containing Mn2+ ions. Journal of Materials Science, v. 55, n. 23, SI, . (18/16126-7, 16/10668-7, 13/07793-6, 16/16900-9)
PITON, MARCELO RIZZO; HAKKARAINEN, TEEMU; HILSKA, JOONAS; KOIVUSALO, EERO; LUPO, DONALD; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, v. 14, n. 1, . (14/50513-7, 16/10668-7)
MONDAL, SANJIB; GHOSH, ANUPAM; RIZZO PITON, M.; GOMES, JOAQUIM P.; FELIX, JORLANDIO F.; GALVAO GOBATO, Y.; AVANCO GALETI, H. V.; CHOUDHURI, B.; DWIVEDI, S. M. M. DHAR; HENINI, M.; et al. Investigation of optical and electrical properties of erbium-doped TiO2 thin films for photodetector applications. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, v. 29, n. 22, p. 19588-19600, . (16/10668-7)
BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental Detection and Control of Trions and Fermi-Edge Singularity in Single-Barrier GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures Using Photocapacitance Spectroscopy. PHYSICAL REVIEW APPLIED, v. 10, n. 4, . (18/01808-5, 16/10668-7)
AL MASHARY, FAISAL S.; DE CASTRO, SUELEN; DA SILVA, ARLON FERNANDO; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; PITON, MARCELO RIZZO; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; GOBATO, YARA GALVAO; AL SAQRI, NOOR; HENINI, MOHAMED; et al. Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO2 thin films. Journal of Alloys and Compounds, v. 766, p. 194-203, . (14/50513-7, 16/10668-7)
GALETI, H. V. A.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Voltage- and Light-Controlled Spin Properties of a Two-Dimensional Hole Gas in p-Type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, v. 47, n. 3, p. 1780-1785, . (12/24055-6, 16/10668-7)
AL SAQRI, NOOR ALHUDA; MONDAL, ANIRUDDHA; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; GOBATO, YARA GALVAO; GORDO, VANESSA ORSI; ALBALAWI, HIND; JAMEEL, DLER; ALGHAMDI, HAIFA; AL MASHARY, FAISAL; TAYLOR, DAVID; et al. Investigation of defects in indium doped TiO2 thin films using electrical and optical techniques. Journal of Alloys and Compounds, v. 698, p. 883-891, . (12/24055-6, 16/10668-7)
KOIVUSALO, EERO S.; HAKKARAINEN, TEEMU V.; GALETI, HELDER V. A.; GOBATO, YARA G.; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA D.. Deterministic Switching of the Growth Direction of Self-Catalyzed GaAs Nanowires. Nano Letters, v. 19, n. 1, p. 82-89, . (16/10668-7, 14/50513-7)
SOUTO, S.; HILSKA, J.; GOBATO, Y. GALVAO; SOUZA, D.; ANDRADE, M. B.; KOIVUSALO, E.; PUUSTINEN, J.; GUINA, M.. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content. Applied Physics Letters, v. 116, n. 20, . (14/50513-7, 16/10668-7)
BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GALVAO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; et al. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys. Journal of Alloys and Compounds, v. 814, . (14/50513-7, 16/10668-7)
PITON, MARCELO R.; KOIVUSALO, EERO; SUOMALAINEN, SOILE; HAKKARAINEN, TEEMU; SOUTO, S.; GALETI, HELDER V. A.; SCHRAMM, ANDREAS; GOBATO, Y. GALVAO; GUINA, MIRCEA; IEEE. Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy. 2017 32ND SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES (SBMICRO): CHIP ON THE SANDS, v. N/A, p. 4-pg., . (14/50513-7, 16/10668-7)