Emissão de fótons individuais a partir de defeitos pontuais e hot spots induzidos pelo substrato em semicondutores bidimensionais: um estudo via luminescência induzida em microscopia de varredura de tunelamento

Resumo

Neste projeto, iremos investigar experimentalmente o papel de defeitos na luminescência de semicondutores bidimensionais, monocamadas de dicalcogenetos de metais de transição (TMDs), que são extremamente importantes para optoeletrônica do futuro. Iremos realizar tais investigações na escala nanométrica usando uma combinação de microscopia de varredura de tunelamento e espectroscopia e microscopia óticas. Serão considerados tanto defeitos pontuais nos semicondutor 2D, como vacâncias ou átomos substitucionais, quanto áreas altamente luminescentes mais mesoscópicas, chamadas de hot spots, que podem ser obtidas através da engenharia das interações locais com nanoestruturas plasmônicas (via efeito Purcell ou doping eletrônico, por exemplo). Os objetivos do Project são ganhar um compreensão mais fundamental sobre como lidar com os TMDs para obter-se fontes nanoscópias de fotos únicos que potencialmente podem aumentar a eficiência quântica (ou seja, reduzir perdas) e aumentar a eficiência em eletro-luminescência (alta taxa de conversão de elétron para fóton). (AU)