Investigação de interfaces em heteroestruturas de semicondutores

• Processo: 92/03065-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1992
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 1993
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Maria José Santos Pompeu Brasil
• Beneficiário: Maria José Santos Pompeu Brasil
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Fotoluminescência Heteroestruturas Confinamento quântico Semicondutores Propriedades eletrônicas Propriedades ópticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Confinamento Quantico | Fotoluminescencia | Fotoluminescencia De Excitacao | Interfaces | Raman Ressonante

Resumo

A qualidade da interface entre dois semicondutores diferentes é fundamental para o funcionamento de dispositivos e para a investigação de propriedades de heteroestruturais que podem ser mascaradas por defeitos nas interfaces. O objetivo deste projeto é investigar interfaces em heteroestruturais de semicondutores, especialmente naquelas formadas por compostos III-V onde o elemento V seja diferente nos dois lados da interface, e em particular, naquelas com compostos de As e P. O efeito das condições de crescimento na formação da interface e na sua resultante "rugosidade" será investigado, considerando efeitos como a forte reação de troca entre elementos do grupo V. Estudaremos também propriedades eletro-óptico; envolvendo confinamento quântico e difusão espacial de portadores, em amostras especiais aproveitando características particulares destes sistemas. Para este estudo, realizaremos medidas de fotoluminescência, fotoluminescência de excitação e Raman ressonante. (AU)