Estudo de heteroestruturas de semicondutores

• Processo: 95/04673-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2000
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Antonio Brum
• Beneficiário: Jose Antonio Brum
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Auxílio(s) vinculado(s): 99/04432-3 - Screening effects in the spin-splitting in n-doped gaas/aigaas quantum wells., AR.EXT; 98/05040-9 - The effect of the mobile valence hole on the optical absorption of quantum wells in the presence of a two-dimensional electron gas., AR.EXT; 97/06847-0 - Carrier capture time in t-shaped semiconductor quantum wires., AR.EXT
• Bolsa(s) vinculada(s): 00/04253-0 - Transporte em heteroestruturas de semicondutoras na presença de uma pressão externa, BP.MS
• Assunto(s): Semicondutores Processos ópticos Interações eletromagnéticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Heteroestruturas | Propriedades Opticas | Semicondutores

Resumo

O projeto se propõe a desenvolver a pesquisa fundamental de heteroestruturas de semicondutores. Os trabalhos envolvem estreita colaboração experimental-teórica e com grupos de crescimento, na Unicamp e fora dela. Os objetivos do projeto são: a) formação de pessoal altamente capacitado tecnicamente, tanto experimental como teoricamente; b) desenvolvimento de capacitação científica e tecnológica, procurando não somente acompanhar, mas também participar ativamente na proposta de novos dispositivos semicondutores; c) investigação de novos efeitos físicos em semicondutores, em particular o estudo da Física de baixa dimensionalidade, desde sistemas quase bidimensionais até sistemas mesoscópicos quase unidimensionais e d) suporte a outros grupos experimentais e de crescimento epitaxial. Os laboratórios disponíveis serão utilizados dentro de um regime de livre acesso pelos pesquisadores envolvidos. Procuraremos utilizar amostras crescidas em laboratórios nacionais, utilizando colaborações internacionais para amostras mais sofisticadas. Procuraremos manter uma forte colaboração com grupos internacionais em todos os aspectos: crescimento, caracterização e experimentos em geral e teoria. Os principais temas de atuação do projeto são: a) correlação eletrônica ou efeitos de muitos corpos; b) dinâmica de portadores e excitons - evolução temporal dos estados excitados; c) interação campo eletromagnético com o estado fundamental e excitações elementares dos semicondutores e heteroestruturas e d) efeitos de rugosidade de interfaces em heteroestruturas. (AU)