Caracterizacao optica no infravermelho de heteroestruturas iv-vi crescidas sobre si(111) e baf2 por epitaxia de feixe molecular-mbe.

• Processo: 96/04546-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1998
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Sukarno Olavo Ferreira
• Beneficiário: Sukarno Olavo Ferreira
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Heteroestruturas Propriedades ópticas Infravermelho
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Optica | Compostos Iv-Vi | Heteroestruturas | Infravermelho | Pbsnte

Resumo

Heteroestruras de compostos IV-VI (PbTe-PbSnTe) crescidas sobre substratos de Si e BaF2 por epitaxia de feixes moleculares (MBE) serão caracterizadas à baixas temperaturas, utilizando-se a técnica de transmissão no infravermelho. A partir do "fiting" das curvas de transmissão, pretende-se obter o coeficiente de absorção e outras propriedades óticas destas estruturas. As medidas serão feitas utilizando-se um espectrofotômetro de transformada de fourrier e um criostato de He líquido. (AU)