Plataforma de integração óptoeletrônica embasada em crescimento epitaxial seletivo e não seletivo por epitaxia de feixes químicos (CBE)

• Processo: 98/14560-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2004
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho
• Beneficiário: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 00/00318-0 - Desenvolvimento de dispositivos optoeletronicos para circuitos integrados monoliticos., BP.PD
• Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular Óptica eletrônica Semicondutores Ligas metálicas Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cbe | Epitaxia | Gaas | Gainas | Galnp | Optoeletronica

Resumo

Estamos propondo o desenvolvimento de uma plataforma de tecnologias decrescimento epitaxial por epitaxia de feixe químico para a integração de dispositivos optoeletrônicos. Esta plataforma englobará o crescimento epitaxial tradicional de heteroestruturas, bem como técnicas de crescimento seletivo e de crescimento em substratos pré-gravados. Os materiais semicondutores nos quais este estudo se baseará são as ligas de InGap e InGaAs crescidas sobre substrato de GaAs. Associados às distintas técnicas de crescimento, desenvolveremos dispositivos semicondutores que servirão como avaliação do crescimento em cada técnica e de seu potencial como parte de uma estratégia de integração optoeletrônica. Os dispositivos optoeletrônicos estudados serão: fotodetetores, transistores bipolares de heterojunção, transistores de efeito de campo e laseres semicondutores. (AU)