Materiais semicondutores amorfos

• Processo: 91/03635-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1992
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Pesquisador responsável: Fernando Alvarez
• Beneficiário: Fernando Alvarez
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutividade Semicondutores Semicondutores amorfos Dispositivos eletrônicos Propriedades dos materiais

Resumo

O projeto se refere à ciência e tecnologia dos semicondutores amorfos. Estes materiais constituem hoje uma das fronteiras da física do estado sólido e da tecnologia eletrônica. Pretende-se pesquisar as propriedades básicas de ligas amorfas hidrogenadas de coordenação tetraédrica, ou seja, aquelas que envolvem os elementos mais leves da coluna IV da tabela periódica dos elementos químicos (C, Si e Ge). Os materiais específicos a serem pesquisados são: a-Si:H, a-Si:C:H, a-Ge:H, a-Ge:Si:H. A estes semicondutores elementares ou a suas ligas serão adicionadas impurezas dopantes (B, P, AL, Sb, In, Ga, N, etc.) a fim de fabricar alguns dispositivos eletrônicos como por exemplo: células solares, dispositivos eletroluminescentes, poços quânticos e superredes, dispositivos de barreira superficial, etc. (AU)