Estudo das propriedades estruturais e de transporte em nano-heteroestruturas semicondutoras baseadas em compostos aIII - BV

• Processo: 05/54452-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2006
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2008
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Iouri Poussep
• Beneficiário: Iouri Poussep
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Pontos quânticos Epitaxia por feixe molecular Espectroscopia Raman Transporte quântico Super-redes
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Epitaxia De Feixe Molecular | Espalhamento Raman | Magnetotransporte | Pontos Quanticos | Semicondutores | Super-Redes

Resumo

Planejamos estudar propriedades de interfaces em heteroestruturas semicondutoras InGaAs/InP e InGaAlSb/AlGaAsSb usando métodos de magnetotransporte, fotoluminescência e espalhamento Raman e a influência de rugosidade interfacial sobre transporte eletrônico. A interação entre os confinados ffinons ópticos e elétrons será investigada em super-redes GaAs/AlGaAs periódicas e desordenadas. Também planejamos investigar o Efeito Hall Quântico e a coerência de excitações eletrônicas em super-redes artificialmente desordenadas. (AU)