Busca avançada
Ano de início
Entree

Memórias semicondutoras ferroelétricas: desenvolvimento e caracterização via experimentos elétrico e de transporte

Processo: 08/53513-7
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de setembro de 2008 - 31 de agosto de 2010
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Fenelon Martinho Lima Pontes
Beneficiário:Fenelon Martinho Lima Pontes
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Síntese química  Caracterização  Capacitores  Filmes finos  Nanotecnologia 

Resumo

A grande demanda do mercado eletro-eletrônico e de telecomunicações deu origem a uma exaustiva busca de novos dispositivos, levando ao desenvolvimento de materiais avançados na forma de filmes finos nanoestruturados como as fontes de potência compacta, leve e principalmente de baixo custo, estes têm grande potencial em aplicações como piezoelétricos, transdutores e principalmente nas atuais memórias para: computadores, smartcards e cartões de identificação do tipo "ID Tags" (DRAM e FeRAM). A utilização destes dispositivos na forma de filmes finos ferroelétricos nanoestruturados é devido, por exemplo, à grande capacidade de armazenamento de carga, não volatilidade, a baixa dimensionalidade e a baixa voltagem de operação. Para a construção de memórias semicondutoras ferroelétricas do tipo "1T-1C" (Transistor-Capacitor) em circuitos integrados, um dos potenciais candidatos é a estrutura do tipo perovskite (ABO3). Desta forma, este projeto tem como objetivos: (a) a obtenção de soluções de citratos polimerizados com alto grau de estabilidade e substituição química no sitio A da perovskite do tipo PbTiO3 pelos cátions Ca, Sr e Ba; b) o estudo das propriedades elétricas em função da modulação entre os diferentes cátions (Pb, Ca, Sr e Ba), visando obter propriedades superiores ou compatíveis para uso em memórias semicondutoras ferroelétricas e sua subseqüente caracterização quanto às propriedades eletrônicas e micro-estruturais. Propõem-se metas claramente voltadas à obtenção de conhecimento para a implementação de dispositivos baseados em memórias semicondutoras ferroelétricas, construídas a partir de novos materiais de alto desempenho, permitindo em médio e longo prazo a diversificação sustentada da produção de dispositivos eletrônicos e o desenvolvimento de processos e serviços de alta tecnologia. A necessária integração entre vários grupos de pesquisadores pela aquisição de equipamentos que serão utilizados em cooperação (multi-usuário) está garantida nesta proposta, uma vez que permitirá um avanço de certas linhas de pesquisa em MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS em crescente desenvolvimento em nossos laboratórios. Uma das conseqüências diretas será fomentar o desenvolvimento da pesquisa cooperativa e acelerar o processo de desenvolvimento de novos produtos e processos baseados nas novas tecnologias de memórias semicondutoras ferroelétricas do tipo FeRAM's e DRAM's. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PONTES, F. M.; GALHIANE, M. S.; SANTOS, L. S.; GAVINO, A.; PETIT, L. A.; PONTES, D. S. L.; LONGO, E.; CHIQUITO, A. J.; COSTA, C. E. F. Effect of strontium addition on ferroelectric phase transition of PZT thin films prepared by chemical route. APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, v. 95, n. 3, p. 693-698, JUN 2009. Citações Web of Science: 3.
PONTES, F. M.; GALHIANE, M. S.; SANTOS, L. S.; PETIT, L. A.; KATAOKA, F. P.; MABUCHI, G. H.; LONGO, E.; ZAMPIERI, M.; PIZANI, P. S. Polymeric precursor method to the synthesis of XWO4 (X = Ca and Sr) thin films-Structural, microstructural and spectroscopic investigations. Journal of Alloys and Compounds, v. 477, n. 1-2, p. 608-615, MAY 27 2009. Citações Web of Science: 11.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.