Memorias semicondutoras ferroeletricas: desenvolvimento e caracterizacao via experimentos eletrico e de transporte

Resumo

A grande demanda do mercado eletro-eletrônico e de telecomunicações deu origem a uma exaustiva busca de novos dispositivos, levando ao desenvolvimento de materiais avançados na forma de filmes finos nanoestruturados como as fontes de potência compacta, leve e principalmente de baixo custo, estes têm grande potencial em aplicações como piezoelétricos, transdutores e principalmente nas atuais memórias para: computadores, smartcards e cartões de identificação do tipo "ID Tags" (DRAM e FeRAM). A utilização destes dispositivos na forma de filmes finos ferroelétricos nanoestruturados é devido, por exemplo, à grande capacidade de armazenamento de carga, não volatilidade, a baixa dimensionalidade e a baixa voltagem de operação. Para a construção de memórias semicondutoras ferroelétricas do tipo "1T-1C" (Transistor-Capacitor) em circuitos integrados, um dos potenciais candidatos é a estrutura do tipo perovskite (ABO3). Desta forma, este projeto tem como objetivos: (a) a obtenção de soluções de citratos polimerizados com alto grau de estabilidade e substituição química no sitio A da perovskite do tipo PbTiO3 pelos cátions Ca, Sr e Ba; b) o estudo das propriedades elétricas em função da modulação entre os diferentes cátions (Pb, Ca, Sr e Ba), visando obter propriedades superiores ou compatíveis para uso em memórias semicondutoras ferroelétricas e sua subseqüente caracterização quanto às propriedades eletrônicas e micro-estruturais. Propõem-se metas claramente voltadas à obtenção de conhecimento para a implementação de dispositivos baseados em memórias semicondutoras ferroelétricas, construídas a partir de novos materiais de alto desempenho, permitindo em médio e longo prazo a diversificação sustentada da produção de dispositivos eletrônicos e o desenvolvimento de processos e serviços de alta tecnologia. A necessária integração entre vários grupos de pesquisadores pela aquisição de equipamentos que serão utilizados em cooperação (multi-usuário) está garantida nesta proposta, uma vez que permitirá um avanço de certas linhas de pesquisa em MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS em crescente desenvolvimento em nossos laboratórios. Uma das conseqüências diretas será fomentar o desenvolvimento da pesquisa cooperativa e acelerar o processo de desenvolvimento de novos produtos e processos baseados nas novas tecnologias de memórias semicondutoras ferroelétricas do tipo FeRAM's e DRAM's. (AU)