Caracterização elétrica de novos transistores SOI em função da temperatura

• Processo: 00/09568-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Dispositivos eletrônicos Transistores Semicondutores Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Eletrica | Modelagem | Simulacao | Soi | Transistor

Resumo

Este projeto tem como finalidade a simulação e caracterização elétrica em função da temperatura de novos transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementados em lâminas de silício sobre isolante (SOI-MOSFET). Estes transistores foram inicialmente desenvolvidos em tese de doutorado por nós orientados, a qual foi fomentada pela FAPESP, e que apresentou resultados altamente interessantes como a redução no efeito bipolar parasitário face ao transistor sal convencional, característica esta muito conveniente para aplicação em amplificadores analógicos integrados. Com base nos resultados obtidos nas etapas de simulação e caracterização elétrica, modelos analíticos poderão ser desenvolvidos com o intuito de permitir a identificação das componentes físicas mais importantes na ocorrência de tais efeitos parasitas, interligando-as com as etapas de processo, bem como a incorporação dos mesmos a simuladores analíticos de circuitos, o que facilitará o estudo da utilização destes novos transistores em circuitos eletrônicos mais complexos. (AU)