Witold Bardyszewski | Warsaw University - Polônia

• Processo: 01/07672-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 24 de outubro de 2001
• Data de Término da vigência: 23 de janeiro de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Antonio Brum
• Beneficiário: Jose Antonio Brum
• Pesquisador visitante: Witold Bardyszewski
• Instituição do Pesquisador Visitante: University of Warsaw, Polônia
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Heteroestruturas Propriedades ópticas Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Excitons | Heteroestruturas | Propriedades Opticas | Semicondutores

Resumo

O projeto tem como objetivo o estudo teórico das transições ópticas em semicondutores de baixa-dimensão na presença de um gás de elétrons. Dois temas serão abordados: - desenvolver um modelo para as transições ópticas que vá além da aproximação de Hartree para descrever as transições ópticas resolvidas no tempo na presença de um gás de elétrons; - estudar as transições ópticas no regime de baixa densidade do gás de elétrons, isto é, quando ocorre a formação de complexos excitônicos carregados negativamente. Estudar os tempos de recombinação e ionização. (AU)