P-type doping of gaas layers grown by mbe on top of (001) gaas substrates using silicon as a dopant.

• Processo: 98/07545-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 31 de agosto de 1998
• Data de Término da vigência: 08 de setembro de 1998
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Alain André Quivy
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Berílio Silício Dopagem eletrônica Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Berilio | Dopagem | Gaas | Mbe | Rheed | Silicio