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Improved model to determine the generation lifetime in double gate soi nmosfets

Processo: 07/03888-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
Data de Início da vigência: 03 de setembro de 2007
Data de Término da vigência: 06 de setembro de 2007
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:João Antonio Martino
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Microeletrônica  Modelagem  Técnicas de caracterização elétrica   Transistores MOSFET 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Caracterizacao Eletrica | Modelagem | Mosfet | Soi | Microeletrônica
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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